| 是否进口：否 | 产地：广东深圳 | 加工定制：否 |
| 类型：IGBT测试仪 | 品牌：华科智源 | 型号：igbt |
| 测量频率：50Hz | 测量精度：±1% | 适用范围：igbt mos bjt |
| 重量：30kg | 尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）cmmm | 是否跨境货源：否 |
IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
IGBT功率器件动态参数测试仪概述
测试电压：zui大1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
定时测量：zui低为1 ns
漏电流限制监视器
- MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
测试标准：
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项
额外的电源供应器
额外的测试头
大包装适配器
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头
ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479
